更新時間:2024-06-22
現(xiàn)代電力電子技術(shù)實訓(xùn)裝置依據(jù)西安交通大學(xué)王兆安編著的《電力電子技術(shù)》(第四版)、《半導(dǎo)體變流技術(shù)》教材實驗大綱的要求,吸收國內(nèi)、外同類產(chǎn)品的優(yōu)點,充分考慮了實驗室的現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢,對原電力電子技術(shù)及電機(jī)控制實驗裝置"在外形、功能上進(jìn)行優(yōu)化組合,精心研制而成。該實驗裝置涵蓋了各高等院校等所開設(shè)的電力電子技術(shù)、半導(dǎo)體變流技術(shù)等專業(yè)課程所要求的實驗項目。
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一、概述
現(xiàn)代電力電子技術(shù)實訓(xùn)裝置依據(jù)西安交通大學(xué)王兆安編著的《電力電子技術(shù)》(第四版)、《半導(dǎo)體變流技術(shù)》教材實驗大綱的要求,吸收國內(nèi)、外同類產(chǎn)品的優(yōu)點,充分考慮了實驗室的現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢,對原電力電子技術(shù)及電機(jī)控制實驗裝置"在外形、功能上進(jìn)行優(yōu)化組合,精心研制而成。
該實驗裝置涵蓋了各高等院校等所開設(shè)的電力電子技術(shù)、半導(dǎo)體變流技術(shù)等專業(yè)課程所要求的實驗項目。
二、現(xiàn)代電力電子技術(shù)實訓(xùn)裝置技術(shù)性能:
1、輸入電源:三相四線(或三相五線380V±10%50HZ)
2、工作環(huán)境:溫度-10℃-+40℃ 相對濕度<85%(25℃) 海撥<4000m
3、裝置容量:<1000W
4、外形尺寸:155×79.5×147cm
5、移動腳輪:100*60mm
三、實訓(xùn)裝置能開設(shè)的實驗項目(全配)
(一)晶閘管觸發(fā)電路實驗項目
1、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路
2、正弦波同步移相觸發(fā)電路實驗
3、鋸齒波同步移相觸發(fā)電路實驗
4、單相集成鋸齒波觸發(fā)電路實驗(由Tca785組成)
5、三相集成鋸齒波觸發(fā)電路實驗(由KC04等組成)
6、三相集成鋸齒波觸發(fā)電路實驗(由TC787組成)
(二)晶閘管線路實驗項目
1、單相半波可控整流電路實驗
2、單相橋式半控整流電路實驗
3、單相橋式全控整流及有源逆變電路實驗
4、三相半波可控整流電路實驗
5、三相橋式半控整流電路實驗
6、三相半波有源逆變電路實驗
7、三相橋式全控整流及有源逆變電路實驗
8、單相并聯(lián)逆變電路實驗
9、單相交流調(diào)壓電路實驗
10、單相交流調(diào)功電路實驗
11、三相交流調(diào)壓電路實驗
(三)新器件特性及驅(qū)動保護(hù)實驗項目
1、單向晶閘管(SCR)特性實驗
2、可關(guān)斷晶閘管(GTO)特性實驗
3、功率場效應(yīng)管(MOSFET)特性實驗
4、功率晶體管(GTR)特性實驗
5、絕緣雙極性晶體管(IGBT)特性實驗
6、可關(guān)斷晶閘管(GTO)驅(qū)動與保護(hù)電路實驗
7、功率場效應(yīng)管(MOSFET)驅(qū)動與保護(hù)電路實驗
8、功率晶體管(GTR)驅(qū)動與保護(hù)電路實驗
9、絕緣雙極性晶體管(IGBT)驅(qū)動與保護(hù)電路實驗
(四)典型新器件線路實驗
1、單相正弦波脈寬調(diào)制(SPWM)逆變電路實驗
2、全橋DC/DC變換電路實驗
3、半橋型開關(guān)穩(wěn)壓電源的性能研究
4、單端反激式隔離開關(guān)電源實驗
5、單端電流反饋他激式隔離開關(guān)電源實驗
6、直流斬波電路的性能研究(降壓斬波電路、升壓斬波電路、升降壓斬波的電路、Cuk斬波電路、Sepic斬波電路、Zeta斬波電路)
7、升、降壓與復(fù)合斬波電路實驗
8、單相斬控式交流調(diào)壓電路實驗
9、整流電路有源功率因數(shù)校正實驗
10、軟開關(guān)技術(shù)實驗
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